ラピスセミコンダクタの歩み 沿革
「ラピスセミコンダクタの前身である、OKIセミコンダクタ、沖電気(デバイス事業)も含む」
1961
昭和36年
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施設1号館完成商品関連トランジスタ生産開始
1962
昭和37年
-
施設2・3号館完成、八王子事業所半導体技術化発足
八王子工場全景
商品関連ミリ波管・電子計算器生産開始
各種電子管
1965
昭和40年
-
商品関連リードリレー生産開始、IC開発着手
当時のリードリレー
1966
昭和41年
-
商品関連リードスイッチ生産開始
1967
昭和42年
-
商品関連IC生産開始
当時の生産ライン
1968
昭和43年
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商品関連CMOS開発着手
1969
昭和44年
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施設4号館完成商品関連プリント基板生産開始
1975
昭和50年
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施設秩父工場操業開始
秩父工場
商品関連4Kb DRAM生産開始 1977
昭和52年
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施設V1棟完成商品関連マイクロプロセッサ生産開始
1979
昭和54年
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商品関連マイクロコンピュータ生産開始
1980
昭和55年
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施設管理・技術棟完成（5号館）
1981
昭和56年
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施設宮崎沖電気操業開始
宮崎OKI電気M1棟
商品関連ゲートアレイ、64Kb DRAM（3µm）生産開始 1982
昭和57年
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技術米NS社へ技術供与
1983
昭和58年
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施設V2棟完成施設宮崎沖電気M2棟完成
宮崎OKI電気M2棟
1984
昭和59年
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施設沖マイクロデザイン宮崎設立商品関連256Kb DRAM（2µm）生産開始
1985
昭和60年
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施設V3棟完成
1987
昭和62年
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商品関連1Mb DRAM（1.2µm）生産開始
1988
昭和63年
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施設宮城沖電気操業開始
宮城OKI電気全景
1989
平成元年
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施設4Mb DRAM（0.8µm）生産開始
1990
平成2年
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施設オレゴン工場操業開始
オレゴン工場
施設沖LSIテクノロジ関西設立 1991
平成3年
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施設宮崎沖電気M3棟完成
1992
平成4年
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施設タイ工場操業開始
オキ タイランド社
施設U1棟完成商品関連16Mb DRAM（0.5µm）生産開始
16M DRAM パターン図
1994
平成6年
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商品関連256Mb DRAM（0.25µm）開発成功
1995
平成7年
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施設宮城沖電気S2棟完成商品関連SSDカード生産開始
1996
平成8年
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施設新食堂棟完成（6号館）
1997
平成9年
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施設新管理・技術棟完成（7号館）商品関連64Mb DRAM（0.3µm）生産開始商品関連1Gb DRAM（0.18µm）開発成功
1998
平成10年
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商品関連SPAベース事業展開開始商品関連表面実装光モジュール商品化商品関連USBコントロールLSI商品化
2000
平成12年
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商品関連Bluetooth システムLSI 商品化商品関連µPLAT開発
2002
平成14年
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商品関連完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始
2003
平成15年
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商品関連世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功
2004
平成16年
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商品関連OHK深セン / OSSH北京 / OSTS設立
2005
平成17年
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施設半導体事業グループ創設
2007
平成19年
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施設シリコンマイクロデバイスカンパニー創設
2008
平成20年
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施設OKIセミコンダクタ株式会社設立
2011
平成23年
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施設ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更
ラピスセミコンダクタ ロゴ 2013
平成25年
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施設新横浜に本社を移転
新横浜本社
2015
平成27年
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商品関連IoTリファレンスデザインLazuriteシリーズ商品化
Lazurite商品関連土壌環境センサを開発
土壌環境センサ 2017
平成29年
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商品関連低消費電力広域通信 LPWA用LSI 商品化 (LPWA : Low Power Wide Area)
2020
令和2年
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施設ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社、ラピスセミコンダクタ宮城株式会社を吸収合併
LSI事業部門をラピステクノロジー株式会社として新設分割