沿革(ラピスセミコンダクタの前身である、OKIセミコンダクタ、沖デバイス事業も含む)

年 代 記 事
1988
沖電気工業株式会社の100%出資により、宮城沖電気株式会社設立

創業当初の航空写真


1Mb DRAM(1.2µm)生産開始
1989
4Mb DRAM(0.8µm)生産開始
1992
16Mb DRAM(0.5µm)生産開始
1994
256Mb DRAM(0.25µm)生産開始
1995
宮城沖電気株式会社 S2棟完成
1997
64Mb DRAM(0.3µm)生産開始

1Gb DRAM(0.18µm)開発成功
2000
Bluetooth®システムLSI商品化
2002
完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始
2003
世界初 SOI標準電波時計LSI開発成功
2008
ロームグループに入り、OKIセミコンダクタ宮城株式会社設立

2011
ラピスセミコンダクタ宮城株式会社に社名変更

2018
ラピスセミコンダクタ宮城創立30周年

30周年記念パーティの様子