沿革(ラピスセミコンダクタの前身である、OKIセミコンダクタ、沖デバイス事業も含む)
年 代 | 記 事 |
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1988 | 沖電気工業株式会社の100%出資により、宮城沖電気株式会社設立
![]() 創業当初の航空写真 |
1Mb DRAM(1.2µm)生産開始
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1989 | 4Mb DRAM(0.8µm)生産開始
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1992 | 16Mb DRAM(0.5µm)生産開始
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1994 | 256Mb DRAM(0.25µm)生産開始
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1995 | 宮城沖電気株式会社 S2棟完成
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1997 | 64Mb DRAM(0.3µm)生産開始
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1Gb DRAM(0.18µm)開発成功
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2000 | Bluetooth®システムLSI商品化 |
2002 | 完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始
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2003 | 世界初 SOI標準電波時計LSI開発成功
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2008 | ロームグループに入り、OKIセミコンダクタ宮城株式会社設立
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2011 | ラピスセミコンダクタ宮城株式会社に社名変更
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2018 | ラピスセミコンダクタ宮城創立30周年
![]() 30周年記念パーティの様子 |