パワーデバイス

業界トップクラスの性能と大幅な
コストダウン実現のために、薄ウェハ加工施術を確立

薄ウェハ加工技術

ラピスセミコンダクタ宮崎工場では、IGBT※1、FRD※2、SBD※3やSJ-MOSFET※4などの縦型パワーデバイス商品を生産しています。特にIGBTやFRDでは素子性能向上を目的とし、低オン抵抗を実現するためにSiウエハを100μm以下まで薄くして、裏面に拡散層形成及び電極形成を行っているものがあります。
また裏面にパターニングすることにより、FRDを内蔵したRC-IGBT※5プロセスも立ち上げています。
さらにSiウエハを薄くした後に無電解めっきによる電極形成を行い、半田実装に対応したチップも生産しています。

用語解説
※1 IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor
※2 FRD : Fast Recovery Diode
※3 SBD : Schottky Barrier Diode
※4 SJ-MOSFET : Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
※5 RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor