○加速度センサ、圧力センサ、IRセンサの量産実績
○ピエゾMEMSファウンドリの量産実績
○MEMS・センサ・ピエゾ素子の開発~量産までスピーディに対応
　ラピスのWP 、MEMSエンジニアが共同で開発いたします

○半導体プロセス・設備を使用 　～0.25um line & space、多層配線、CMP等
○豊富なMEMS技術と専用設備の保有
○表面加工、裏面加工、ウエハ接合、陽極接合、真空封止
　高性能なゾルゲル方式PZT形成

a) DRYエッチング
エッチング＆デポのサイクルを繰り返すことで、側壁を保護しつつ垂直な穴を開孔します。
開孔が深くなっても垂直を維持し、ウエハを貫通することもできます。
また適切な条件を設定することにより穴を「広げる・すぼめる」を自在に実現します。

b) 異方性Wetエッチング（アルカリエッチング）
アルカリ溶液（TMAH）が、Siを[111]方位に沿ってエッチングする特性を利用して異方性選択エッチングを行います。高いエッチングレート、多数のウエハを同時にエッチング処理が可能。生産性が優れ、低コストで処理ができる手法です。

a) 樹脂接合
接着剤や感光性ポリイミドを塗布。位置合わせ後、高温高圧を加えて貼り合せます。表面に凹凸があっても極薄1umの樹脂をバッファとして接合し、立体的な3D構造を創る事ができます。

b) ガラス陽極接合
ガラスウエハ (SiO2) と シリコンウエハ (Si) を共有接合します。
真空中でガラスの温度を上げて軟化させ、高電圧を印加して静電気力により接合します。センサ内部の真空を保持したり、実装時に裏面加工面を保護する等に利用します。

スピンコート法によるゾルゲル厚膜PZTを形成します。下部電極の膜質を制御し高い配向性のPZT膜を均一に形成します。
・逆圧電定数 -260【pm/V】

制御ICをMEMSチップ上に実装。
IC占有面積の縮小、ノイズの低減などに効果を発揮します。

原子層レベルをステップで堆積する成膜方法
Al2O3膜等の絶縁保護膜を
・ どのような隙間にも均一に
・ 高カバレッジ（≒100％）
・ 精密膜厚制御
で形成する事ができます。
親水膜・撥水膜も形成できます。

IRセンサ、モーションセンサ、RFスイッチに使える真空PKG

・ 高真空求められる製品では、ゲッターを内封
・ IR透過性が必要な製品では、SiやGe等のリッドを使用可
・ 真空中でAuSn やハンダで封止