ラピスセミコンダクタの歩み 沿革

1961

昭和36年

施設
1号館完成
 
商品関連
トランジスタ生産開始
 

1962

昭和37年

施設
2・3号館完成、八王子事業所半導体技術化発足
2・3号館

八王子工場全景

商品関連
ミリ波管・電子計算器生産開始
ミリ波管・電子計算器

各種電子管

1965

昭和40年

商品関連
リードリレー生産開始、IC開発着手
リードリレー、IC

当時のリードリレー

1966

昭和41年

商品関連
リードスイッチ生産開始
 

1967

昭和42年

商品関連
IC生産開始
IC生産開始

当時の生産ライン

1968

昭和43年

商品関連
CMOS開発着手
 

1969

昭和44年

施設
4号館完成
 
商品関連
プリント基板生産開始
 

1975

昭和50年

施設
秩父工場操業開始
秩父工場

秩父工場

商品関連
4Kb DRAM生産開始
 

1977

昭和52年

施設
V1棟完成
 
商品関連
マイクロプロセッサ生産開始
 

1979

昭和54年

商品関連
マイクロコンピュータ生産開始
 

1980

昭和55年

施設
管理・技術棟完成(5号館)
 

1981

昭和56年

施設
宮崎沖電気操業開始
宮崎沖電気

宮崎OKI電気M1棟

商品関連
ゲートアレイ、64Kb DRAM(3µm)生産開始
 

1982

昭和57年

技術
米NS社へ技術供与
 

1983

昭和58年

施設
V2棟完成
 
施設
宮崎沖電気M2棟完成
宮崎沖電気M2棟

宮崎OKI電気M2棟

1984

昭和59年

施設
沖マイクロデザイン宮崎設立
 
商品関連
256Kb DRAM(2µm)生産開始
 

1985

昭和60年

施設
V3棟完成
 

1987

昭和62年

商品関連
1Mb DRAM(1.2µm)生産開始
 

1988

昭和63年

施設
宮城沖電気操業開始
宮城沖電気

宮城OKI電気全景

1989

平成元年

施設
4Mb DRAM(0.8µm)生産開始
 

1990

平成2年

施設
オレゴン工場操業開始
オレゴン工場

オレゴン工場

施設
沖LSIテクノロジ関西設立
 

1991

平成3年

施設
宮崎沖電気M3棟完成
 

1992

平成4年

施設
タイ工場操業開始
オキ タイランド社

オキ タイランド社

施設
U1棟完成
 
商品関連
16Mb DRAM(0.5µm)生産開始
16M DRAM パターン図

16M DRAM パターン図

1994

平成6年

商品関連
256Mb DRAM(0.25µm)開発成功
 

1995

平成7年

施設
宮城沖電気S2棟完成
 
商品関連
SSDカード生産開始
 

1996

平成8年

施設
新食堂棟完成(6号館)
 

1997

平成9年

施設
新管理・技術棟完成(7号館)
 
商品関連
64Mb DRAM(0.3µm)生産開始
 
商品関連
1Gb DRAM(0.18µm)開発成功
 

1998

平成10年

商品関連
SPAベース事業展開開始
 
商品関連
表面実装光モジュール商品化
 
商品関連
USBコントロールLSI商品化
 

2000

平成12年

商品関連
Bluetooth システムLSI 商品化
 
商品関連
µPLAT開発
 

2002

平成14年

商品関連
完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始
 

2003

平成15年

商品関連
世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功
 

2004

平成16年

商品関連
OHK深セン / OSSH北京 / OSTS設立
 

2005

平成17年

施設
半導体事業グループ創設
 

2007

平成19年

施設
シリコンマイクロデバイスカンパニー創設
 

2008

平成20年

施設
OKIセミコンダクタ株式会社設立
 

2011

平成23年

施設
ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更
ラピスセミコンダクタ ロゴラピスセミコンダクタ ロゴ

2013

平成25年

施設
新横浜に本社を移転
新横浜本社

新横浜本社

2015

平成27年

商品関連
IoTリファレンスデザインLazuriteシリーズ商品化
IoTリファレンスデザインLazuriteシリーズLazurite
商品関連
土壌環境センサを開発
土壌環境センサ土壌環境センサ

2017

平成29年

商品関連
低消費電力広域通信 LPWA用LSI 商品化 (LPWA : Low Power Wide Area)