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ラピスセミコンダクタのファンダリサービス

WL-CSPファンダリサービス

サービス概要

超小型で超軽量のパッケージを実現する WL-CSPファンダリサービス

ウエハレベルチップサイズパッケージ(WL-CSP)はモバイル機器の小型化、軽量化に最適であり、さらに、Cu再配線技術・表面処理技術(Cu・Ni・Au・SnAgめっき)により、LSIの高機能化・多機能化に貢献いたします。

また、お客様のご要求に応じたファンダリモデルをご提供いたします。

  • Cu再配線加工、個片化、テスト、テープ&リール梱包まで一貫対応いたします。
  • カスタム加工、部分加工等、ご対応いたしますのでご相談ください。
  • 3つのソリューション
  • WL-CSP 構造と特徴
  • テクニカルロードマップ
  • WL-CSP新規技術

WL-CSP

スマホ/ウエアラブル機器向けの小型/薄型パッケージ

  • 1999年量産化以来の長年の実績とノウハウ
  • 樹脂封止構造の優れた単体信頼性、車載実績多数
  • 樹脂レス構造による薄型、狭端子ピッチの実現
  • 協力会社との提携による、急激な増産に対応できる体制
  • WL-CSPの主なラインナップはこちら
 

厚Cu再配線

Powerデバイス向けの特性向上/小型化/多機能化

  • 厚付けCu配線によるオン抵抗低減
  • Alパッド配置フリー化、IOパッド縮小によるチップサイズ縮小化
  • 層間絶縁膜の厚膜化による高耐圧対応
 

応用技術

ラピスの技術を集結した次世代パッケージ

  • 再配線技術/Cuピラー形成技術と実装技術の融合による
    マルチチップ化、モジュール化の実現、Fan-Out化の実現
 

WL-CSPの主なラインアップ

お客様のニーズに対応できる
ラインアップを取り揃えて提案いたします

  • 高信頼性(車載・産機・医療) モールド樹脂封止
  • 薄型(基板内蔵)0.2mm
  • 狭ピッチ端子 0.15mm
  • 超狭ピッチ(Cuピラー)0.10mm
  • 高密度 多層配線・MC-WLP
  • その他、裏面処理・低温絶縁膜・端子処理(Sn-Ag/Au/Niメッキ)等のカスタマイズが可能

 

Mold Type

Mold-less Type

構造

 
 
 
 
 

特長

チップ表面保護性 / 高い基板実装時低応力

ファインピッチ端子 / 最薄タイプのCSP

Cu+Niの連続メッキによる工程削減

基板内蔵用の端子処理

超ファインピッチ端子 / 最薄タイプのCSP 

量産
開始
時期

1999年

2010年

2013年

2014年

2017年

薄型

(取付高さ)

0.3mm以上

0.2mm以上

0.3mm以上

0.2mm以上

0.2mm以上

端子
ピッチ

0.3mm以上
(印刷)
0.4mm以上
(ボール)

0.15mm以上
(印刷)

0.4mm以上
(ボール)

0.35mm以上
(めっき)

0.1∼0.13mm

遮光性

デバイス
保護性

基板
実装時
応力

採用
アプリケ
ーション

車載部品

(トランスミッション)

スマートフォン

(電源系IC)

携帯ゲーム

(DCDC)

スマートフォン

(RF IC)

スマートフォン

(DCDC)

産業機器

(センサIC)

民生機器

(電源系IC)

スマートフォン

(RF IC)

ウエアラブル

(DCDC)

スマートフォン

(DCDC)

WL-CSPとは

Wafer Level - Chip Size Package (WL-CSP)とは、従来使用していた、リードフレーム・金線を使用せ ず、ウエハ状態のまま銅配線、樹脂封止、端子形成を行う構造のパッケージで基本特性および信頼性は従来パッケージと同等のまま、軽量・小型化が可能になる最新型のパッケージのことです。  ※µLAPIS™series

 

WL-CSPのメリット

WL-CSPのメリット

  • 小型・薄型化・軽量
  • 低コスト (チップサイズが小さいと有利)
  • 省資源 (エコ)
  • 部材のデッドストックの抑制
  • 生産工期の短縮
  • 任意の配線が形成可能
 

WL-CSPプロセス

絶縁膜加工、再配線加工、Si研磨、テスト、ダイシング、T&Rまで一貫対応
お客様のコストを削減いたします。

 

テクニカルロードマップ

 

大電流対応Cu再配線技術

厚付け再配線技術+表面処理技術

特長
  • ALパッド配置フリー化及びIOパッド面積縮小化
  • 厚付け(13~20µm)Cu配線によるオン抵抗の低減
  • 接続ワイヤ別の表面処理の最適化
アプリケーション
  • モータドライバー/LED/コイル/オペアンプ等
厚Cu配線仕様(標準)
  • Cu/Ni/Au厚み : 13µm/3µm/0.5µm
  • L/S : 30µm/30µm
 
 

多機能・高耐圧向けCu再配線技術

Cu再配線+端子処理技術(Au/Ni/Sn-Agメッキ端子)

    特長
  • Cu多層配線による多機能・高機能化層の実現
  • Cu配線によるオン抵抗の抑制
  • 層間絶縁膜の厚膜化(高耐圧向け: 600V程度までの実績有り)
  • ワイヤーボンド、フリップチップボンドが可能なメッキ処理や平坦化(フィリングメッキ)による多機能・小型化の実現
  • アプリケーション
  • パワーデバイス/センサー&コントロールデバイス/ミリ波 等
  •  
 

次世代パッケージ:マルチチップWLP

ラピスセミコンダクタの技術を集結した次世代パッケージ

再配線技術/Cuポスト形成技術と実装技術の融合により
マルチチップ化、モジュール化、Fan Out化を実現

    特長
  • 高Cuポスト、Chip on Wafer技術による小型PKGの実現
  • 接続用部材(ワイヤ、基板等)の削除による配線抵抗の低減
  • モールド樹脂封止による信頼性確保
  •  
 

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