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波長1.3μm帯43ギガビット変調器付レーザ
OL3191M

2010年4月5日

OKIセミコンダクタ、波長1.3μm帯43ギガビット変調器付レーザを開発

43Gbpsシリアル伝送で伝送距離10Kmを可能に

写真

OKIセミコンダクタは、このたび43Gbpsの10Kmシリアル伝送用に波長1.3μm のEML(*1)の新商品「OL3191M」を開発し、本年6月よりサンプル出荷を開始いたします。量産出荷開始は2010年10月を予定しています。

インターネットの動画トラフィックの急激な増大等により、ネットワークの大容量化が求められており、光伝送インタフェースは10Gbpsからさらに高速な40Gbpsへの移行が進んでいます。OKIセミコンダクタは40Gbps通信用としてXLMD-MSA(*2)に準拠した波長1.55μm帯のEML「OL5191M」を2009年5月にリリースしておりますが、今回新たに波長1.3μm帯のEML「OL3191M」を開発いたしました。波長1.55μm帯EMLでは伝送距離が2Km程度でしたが、波長1.31μm帯では光ファイバ内での波長分散の影響が少ないため、新開発のOL3191Mでは10Kmの伝送後でも良好な波形を得ることが可能になりました。OL3191Mは新開発の1.3um帯EMLと自社開発の高速特性に優れたInP HEMT（*3）のドライバＩＣを同一パッケージ内に実装しており、部品点数の削減や小型化が可能となります。

OKIセミコンダクタは、高速・低消費電力といったデバイスの優位性を活かし、成長が見込まれる40Gbps光通信市場において、今後も高性能で高品質な光コンポーネントを提供してまいります。

販売計画

サンプル価格：
600,000円（税別）
サンプル出荷時期：
2010年6月
量産出荷開始予定：
2010年10月

主な特長

  1. 波長1.3μm
  2. XLMD-MSA準拠
  3. 高速動作：　43Gbps動作

用語解説

（*1）EML（Electro-Absorption Modulated Laser）：
電界吸収型光変調器と光源となるレーザーダイオードを集積化した光半導体素子
（*2）XLMD - MSA：
40Gbps光通信送信／受信モジュールのマルチソース・アグリーメント
（*3）InP HEMT：
半導体基板にInP化合物を用い2次元電子ガス層をチャネルに用いた化合物半導体デバイスで高速・高耐圧特性に優れる

※本文に記載されている会社名、商品名は一般に各社の商標または登録商標です。

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