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128Mbit NOR 플래시 메모리 「MR29V12852B」


자동차기기ㆍ산업기기에 최적인
고신뢰성 NOR 플래시 메모리 「MR29V12852B」 개발

∼ 128Mb로 업계 최초, 에러 정정 부호 회로를 내장하여
시스템의 안정 동작과 비용 절감에 기여 ∼
※2016년 3월 라피스 세미컨덕터 조사


개 요

로옴 그룹 라피스 세미컨덕터는 높은 품질이 요구되는 자동차기기 및 산업기기의 데이터 기억 매체에 최적인 128Mbit NOR 플래시 메모리 「MR29V12852B」를 개발하였습니다.

플래시 메모리는 데이터를 기억하는 메모리 셀의 연결 방법의 차이에 따라 NAND 타입과 NOR 타입으로 분류됩니다. NAND 타입은 bit 당 가격이 저렴하다는 특징이 있으며, 휴대전화, 디지털 카메라, 디지털 오디오 등의 디지털 데이터를 보존하는 기억 매체로서 사용됩니다. 한편 NOR 타입은 기억 데이터의 신뢰성이 높다는 특징이 있으며, 높은 품질이 요구되는 자동차기기, 산업기기 등의 펌웨어를 저장하는 기억 매체로서 다수 사용되고 있습니다.

플래시 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리는 우발적인 데이터 에러가 발생할 가능성이 있다는 점을 부정할 수 없습니다. 특히 높은 품질이 요구되는 자동차기기 및 산업기기에서는 시스템의 안정 동작을 위해 이러한 데이터 에러로 인해 발생되는 프로그램의 오동작 및 정지에 대한 예방 조치를 강구할 필요가 있습니다.

본 LSI는 128Mb NOR 플래시 메모리로서 업계 최초로 에러 정정 부호 회로와 출력 드라이브 능력 조정 회로를 내장, 기존의 메모리 대신 사용함으로써 시스템 상의 데이터 에러 대책을 저비용으로 간단하게 실시할 수 있습니다. 높은 품질이 요구되는 자동차기기 및 산업기기에 최적이며, 시스템의 안정 동작과 비용 절감에 기여합니다.

현재 샘플 출하중이며, 회로 설계, 테스트 프로그램 설계, 평가 등의 플래시 메모리 개발은 라피스 세미컨덕터 (신요코하마 테크놀로지 센터)에서 실시, 생산은 해외 파트너 Fab에 위탁, 2016년 11월부터 양산 출하를 개시할 예정입니다.

앞으로도 라피스 세미컨덕터는 NOR 플래시 메모리 라인업을 다양하게 구비하여, 높은 품질이 요구되는 고객의 요구에 요구에 대응해 나갈 것입니다.

배 경

플래시 메모리의 데이터 에러 원인에는 메모리의 리딩 데이터 오류 (bit 에러) 및, 신호의 지연 및 파형 왜곡의 원인이 되는 데이터 전환 시 발생하는 전기적 노이즈 (복사 노이즈) 등이 있습니다. 플래시 메모리의 데이터 에러는 플래시 메모리와 그 컨트롤러 사이의 데이터 통신 에러를 초래하여 시스템의 신뢰성에 영향을 미칩니다. 신뢰성이 높은 시스템을 구축하기 위해서는 bit 에러를 저감하는 bit 에러 정정 기능 및 주변 회로에 대한 노이즈 대책을 고려한 기판 설계, 부품 배치와 그 평가가 필요합니다.

라피스 세미컨덕터는 에러 정정 부호 회로, 기판 상 복사 노이즈 대책의 드라이브 능력 조정 회로를 내장하고, 타사 제품과 호환성을 지닌 NOR 플래시 메모리를 개발하였습니다. 이에 따라, 현행 시스템 구성을 변경하지 않고도 기존 메모리를 대체하여 사용할 수 있으며, 동시에 시스템의 안정 동작 실현할 수 있습니다.

 

특 징

1. 기존품 대신 사용함으로써, bit 에러 정정 기능을 간단히 추가 가능

  • 지금까지는 시스템에 bit 에러 정정 기능을 구비하기 위해서는 기존의 메모리 제품과 더불어 에러 정정 부호 회로와 정정 부호용 검사어 메모리의 추가가 필요했습니다. 본 LSI는 bit 에러 대책으로 에러 정정 부호 회로와 정정 부호용 검사어 플래시 메모리를 내장하여, bit 에러 정정 기능 추가 시 필요한 부품을 추가할 필요가 없습니다. 또한, 일반적인 NOR 플래시 메모리 제품과의 호환성이 있습니다. 따라서 본 LSI로의 대체가 용이하며, 현행 시스템에 추가 부품 없이 bit 에러 정정 기능을 구비한 시스템을 구축할 수 있습니다.
  • 시스템의 규모 및 채용하는 에러 정정 부호 회로 구성에 따라 효과가 달라지지만, 현행 시스템 상 본 LSI와 기존품과의 대체 사용을 단순한 추가 부품 비용과 비교 시, 약 5%(*) 저감을 기대할 수 있습니다.
  • (*) : 라피스 세미컨덕터 조사
 

2. 출력 드라이브 능력 조정 기능을 통한 복사 노이즈 저감

  • 본 LSI는 NOR 플래시 동작 시 발생하는 기판 상의 복사 노이즈 저감 및 임피던스 매칭에 의한 리드 데이터 출력 파형의 특성 개선을 위해 데이터 출력 시의 전류 구동 능력을 변경하는 출력 드라이브 능력 조정 회로를 탑재하였습니다. 고객의 시스템 구성에 따른 전류 구동 능력의 최적화가 가능하여, 복사 노이즈 대책 부품 삭감, 댐핑 저항 부품의 삭감 및 실장 비용 삭감이 가능합니다.
  • 또한, 출력 드라이브 능력 조정 회로는 출하 시부터 고정 사양으로 고객에 제공하므로, 기존의 플래시 컨트롤러를 그대로 사용하여 출력 드라이브 능력을 조정할 수 있습니다.
 

용 도

  • 자동차 정보 단말기 전반, 산업기기 전반, 각종 가전기기

판매 계획

  • 상품명 : MR29V12852B
  • 샘플 출하 시기 : 2016년 3월
  • 샘플 가격 (참고) : 750엔 (세금 불포함)
  • 양산 출하 예정:2016년 11월
  • 양산 출하 수량 : 월 50만개 생산 체제

사 양

항 목 사 양
메모리 구성 8,388,608 × 16Bit, 16,777,216 × 8Bit
구성 Word (16Bit), byte (8Bit) 전환
섹터 구성 128Kbyte 단일
전원전압 2.7V ∼ 3.6V
동작온도 범위 -40°C ∼ +85°C
메모리 액세스 70nS (랜덤 액세스), 25nS (페이지 액세스)
소비전류 (Typ) 리딩 시 20mA (at 5MHz), 스탠바이 시 30µA
보호 WP#제어, 소프트웨어 제어
패키지 56TSOP (Type I)

문 의

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