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メモリ

FeRAMは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術 により開発された32Kbit∼256Kbit構成の強誘電体ランダムアク セスメモリです。

FeRAM

FeRAM

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データ
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メモリ
容量

(bit)

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構成

(word×bit)

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動作速度 リード
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耐性
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保障期間
動作
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(°C)

PKG ネット
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FeRAM動画


強誘電体ランダムアクセスメモリ
FeRAMのご紹介

 

概 要

ラピスのFeRAMシリーズ

FeRAMは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術 により開発された32Kbit ~ 2Mbit構成の強誘電体ランダムアク セスメモリです。

電池によるバックアップ不要、高速ランダムリードライト、 高書き換え耐性(約1兆回耐性保証)、さらに低消費電力で、 さまざまなアプリケーションへの応用が可能です。

ラピスセミコンダクタのFeRAMは、ロームグループ内での 一貫生産により高品質かつ安定した供給をお約束します。

商品特長

特長1
圧倒的な書き換え耐性、Flashの100万倍
圧倒的な書き換え耐性、Flashの100万倍 FeRAM

FeRAM(1兆回)はFlash(10~100万回)と比べ、100万倍の圧倒的書き換え耐性を特長としています。

さらに連続的なデータの更新が可能なため、更新不足によるマイコンでの書き込みアドレスマネージメントが不要です。

特長2
高速書き換え、Flashの10万倍

FeRAMはFlashと比べ、書き換え速度においても優位。

FeRAMは消去動作不要、プログラム書き込み動作不要なので、1byte書き換えにおいて、Flash (700ms)に比べ、FeRAM (150ns)は約10万倍高速に書き換えを行うことが可能です。

特長3
低消費電力、Flashの1/100以下
>低消費電力、Flashの1/100以下 FeRAM

消去動作不要、プログラム書き込み動作不要のFeRAMは消費電力においても優位。

FeRAMは消去動作不要、プログラム書き込み動作不要なので、Flash (35mW) に比べ、FeRAM (0.2mW) は1/100以下の電力で書き換えを行います。

電源遮断時データ退避での自己消費が小さく、電源低下速度が遅くなり、退避時間も確保が可能です。

特長4
ECC機能搭載で高信頼性

全てのFeRAM商品にECC( Error Check and Correction=誤り訂正)機能を搭載。

メモリにデータ領域と訂正符号データ領域を備えます。

対となるデータ群と訂正符号データ群を読み出し、仮にビット誤りが発生してもECC回路により、 エラー訂正したデータを出力します。

 
特長5
高信頼性Cu(銅フレーム)
銅リードフレーム

車載製品で求められる、接続信頼性を確保するには、銅リードフレームが必需です。

Cuリードフレーム対応品もラインアップ。

 

適用アプリケーション

FeRAM

FeRAM 採用事例
 

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データ
シート

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ユーザーズ
マニュアル

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ホワイト
ペーパー

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エラッタ

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その他

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パッケージコード

外形図
実装仕様

環境
データ

MSL

強誘電体メモリ クロスリファレンス検索とは、他社強誘電体メモリ製品品番から、ラピスセミコンダクタのFeRAM商品をご提案する検索サービスです。

クロスリファレンス検索対象メーカーは Cypress、Fujitsu です。

上記メーカーの製品品番を5文字以上、半角英数で入力してください。(部分的な品番の検索も可能です)

強誘電体メモリ クロスリファレンス検索結果を表示

更新日:2014/12/12

他社品番

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 ご注意

本クロスリファレンスに含まれる情報は、情報を取得した時点の各メーカーの公式情報に基づき、 ラピスセミコンダクタが最善の推定を行うことにより得られた情報です。

この情報はあくまで参考のために提案します。表示されるクロスリファレンス品名は、他社が公表している 情報と照合し、機能的に同等と推測する参考品名ですので、商品に関する最新の情報をデータシート等で ご確認のうえ、お客様の責任において引用可否を判断してください。

ラピスセミコンダクタは、ここで提供する情報の正確性、完全性に関して一切の責任を負いかねます。 また、情報は予告なく変更されることがあります。



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