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NOR Flashメモリ 128Mb「MR29V12852B」


車載・産業機器に最適な
高信頼 NOR Flashメモリ「MR29V12852B」を開発

~ 128Mbで業界初、エラー訂正符号回路を内蔵し
システムの安定動作とコストダウンに貢献 ~
※2016年3月ラピスセミコンダクタ調べ


要 旨

ラピスセミコンダクタは、高い品質が要求される車載機器や産業機器のデータ記憶媒体に最適な、128MビットNOR Flashメモリ「MR29V12852B」を開発しました。

Flashメモリは、データを記憶するメモリセルの繋ぎ方の違いから、NAND型とNOR型に分類されます。NAND型はビット当たりの価格の安さが特徴で、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルオーディオなどのデジタルデータを保存する記憶媒体として、NOR型は記憶データの信頼性の高さが特徴で、高い品質が要求される車載機器、産業機器などのファームウェアを格納する記憶媒体として数多く使用されています。

Flashメモリを含む不揮発性メモリでは、偶発的なデータエラーが発生する可能性を否定できません。特に高い品質が要求される車載機器や産業機器においては、システムの安定動作のため、このデータエラーを原因とするプログラムの誤動作や停止の予防措置を講じる必要があります。

本LSIは、128Mb NOR Flashメモリとして業界で初めてエラー訂正符号回路と出力ドライバビリティ調整回路を内蔵、既存のメモリを置き換えることで、簡単かつ低コストにシステム上のデータエラー対策を実施することが出来ます。高い品質が要求される車載機器や産業機器に最適で、システムの安定動作とコストダウンに貢献します。

現在サンプル出荷中で、回路設計、テストプログラム設計、評価などのFlashメモリ開発はラピスセミコンダクタ(新横浜テクノロジセンタ)で実施、生産は海外パートナーFabに委託し、2016年11月から量産出荷を開始する予定です。

ラピスセミコンダクタは、今後もNOR Flashメモリのラインアップ充実を図り、高い品質を要求されるお客様のご要望にお応えして参ります。

背景

Flashメモリのデータエラーの原因には、メモリの読み出しデータの誤り(ビットエラー)や、信号の遅延や波形歪みの原因となる、データ切り替わり時に発生する電気的ノイズ(輻射ノイズ)などがあります。FlashメモリのデータエラーはFlashメモリとそのコントローラ間のデータ通信エラーの原因となり、システムの信頼性に影響を与えます。信頼性の高いシステムを構築するためには、ビットエラーを低減するビットエラー訂正機能や、周辺回路へのノイズ対策を考慮した基板設計、部品配置とその評価が必要とされていました。

ラピスセミコンダクタはエラー訂正符号回路、基板上輻射ノイズ対策のドライバビリティ調整回路を内蔵し、他社製品と互換性を有するNOR Flashメモリを開発、現行システムの構成を変えることなく既存メモリとの置換えと、システムの安定動作を同時に可能にしました。

 

新商品の詳細

1. 従来品と置き換えることで、簡単にビットエラー訂正機能を追加可能

  • これまで、システムにビットエラー訂正機能を具備するには、従来メモリ品に加えてエラー訂正符号回路と訂正符号用の検査語メモリの追加が必要になります。本LSIは、ビットエラー対策としてエラー訂正符号回路と、訂正符号用の検査語Flashメモリを内蔵しており、ビットエラー訂正機能追加時に必要な部品の追加が不要になります。また、一般的なNOR Flashメモリ品と互換性があります。このため本LSIへ置き換えが容易で、現行システムに追加部品無しで、ビットエラー訂正機能を備えたシステムを構築することが出来ます。
  • 本LSIを使用することで、システムの規模や、採用するエラー訂正符号回路の構成により効果が変わりますが、現行システム上で、本LSIと従来品の置き換えと、単純な追加部品コストを比較すると、約5%ダウンが見込めます。
  • ※ラピスセミコンダクタ調べ
 

2. 出力ドライバビリティ調整機能による輻射ノイズを低減

  • 本LSIは、NOR Flash動作時に発生する基板上輻射ノイズの低減、およびインピーダンスマッチングによるリードデータ出力波形の特性改善のため、データ出力時の電流駆動能力を変更する出力ドライバビリティ調整回路を搭載しました。お客様のシステム構成に応じた電流駆動能力の最適化が可能で、輻射ノイズ対策部品の削減、ダンピング抵抗部品の削減や実装コストの削減が可能になります。
  • また、出力ドライバビリティ調整回路は、出荷時から固定仕様でお客様にご提供するため、既存のFlashコントローラを使用のままで出力ドライバビリティを調整することができます。
 

3. 日本国内で開発したNOR Flashメモリ

  • 本LSIは日本(ラピスセミコンダクタ:新横浜テクノロジセンタ)で開発、電子回路設計やテストプログラム設計、評価など全てのFlashメモリ開発業務を国内で行っております。
    国内のお客様には、日本語による時差のない素早い技術支援を提供します。

応用分野

  • 車載情報端末全般、産業機器全般、各種家電機器

販売計画

  • 商品名 : MR29V12852B
  • サンプル出荷時期 : 2016年3月
  • サンプル価格 (参考) : 750円 (税別)
  • 量産出荷予定 : 2016年11月
  • 量産出荷数量 : 月産50万個

仕様

項 目 仕 様
メモリ構成 8,388,608 × 16ビット、16,777,216 × 8ビット
語構成 ワード (16ビット)、バイト (8ビット) 切替
セクタ構成 128Kバイト 単一
電源電圧 2.7V to 3.6V
動作温度範囲 -40°C to +85°C
メモリアクセス 70nS (ランダムアクセス)、25nS (ページアクセス)
消費電流 (Typ) 読み出し時 20mA (at 5MHz)、スタンバイ時 30µA
プロテクション WP#制御、ソフトウエア制御
パッケージ 56ピン TSOP (Type I)

お問い合わせ

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