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100ギガビット・イーサ用EMLドライバICを商品化

2009年03月19日

100ギガビット・イーサ用EMLドライバICを商品化

世界最小クラスの小型、低消費電力性能でシェア50%以上を目指す

KGA8205_chip_photo

OKIセミコンダクタは、このたび次世代の高速イーサネットの規格である100ギガビット・イーサに応用可能なEML(*1)ドライバとして、世界最小クラスの小型、低消費電力な1チップEMLドライバ新商品「KGA8105」を開発しました。100ギガビット・イーサ光通信市場で50%以上のシェア目指します。本商品は本日よりサンプル出荷を開始し、量産出荷は2009年6月を予定しています。

現在、2010年の実用化を目指して次世代の高速イーサネットである100ギガビット・イーサの研究、開発が活発に進められています。この100 Gbpsの10km及び40kmの伝送には、波長の異なる25 Gbpsの信号4波を波長多重して伝送する方式が採用されます。 このため、光電気変換部の構成部品には25Gbpsの高速動作と、4波の部品を集積するための小型さと低消費電力性が求められます。

このたび開発した「KGA8105」は、25Gbpsで動作するダイ形態の1チップ型EMLドライバICです。本商品は基本素子に10 Gbps IC市場で高い評価をいただいているGaAs PHEMT(*2)を使用し、25.8Gbps動作時、消費電力1.25W (出力振幅2.5Vpp)と高速・低消費な電力が得られます。この商品はダイ形態と共に、今後4mm角のQFNパッケージ形態による商品のご提供も計画しております。

本ICを用いることにより、100ギガビット・イーサ用トランシーバにおいて、高品質な光波形が得られるとともに小型化・低消費電力化が可能となります。OKIセミコンダクタは、高速・低消費電力といったデバイスの優位性を活かし、成長が見込まれる光通信用IC市場において、高性能で高品質な光通信用ドライバICを提供してまいります。

本年3月22日(日)~26日(木)に米国カリフォルニア州サンデェゴ市にて開催されるthe Optical Fiber Communication Conference & Exposition and the National Fiber Optic Engineers Conference (OFC/NFOEC2009)(http://www.ofcnfoec.org/)併設展示会場のOKIセミコンダクタブース(# 2431)において100ギガビット・イーサ用EMLドライバに関する展示と説明を行います。

販売計画

サンプル出荷時期:
2009年3月
量産出荷開始予定:
2009年6月
販売目標:
2010年度市場シェア50%以上

主な特徴

  1. 25.8Gbps動作
  2. 振幅 2.5Vpp(標準)
  3. 1.25W(標準)
  4. 1.7mm×1.2mm (Die形態)

用語解説

(*1)EML(Electro-Absorption Modulated Laser):
電界吸収型光変調器と光源となるレーザーダイオードを集積化した光半導体素子
(*2)GaAs PHEMT:
半導体基板にGaAsを用い、2次元電子ガス層をチャネルに用いた
高速化合物半導体デバイス

※本文に記載されている会社名、商品名は一般に各社の商標または登録商標です。

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