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40ギガビット光通信用ドライバIC内蔵変調器付レーザを開発

2009年03月23日

40ギガビット光通信用ドライバIC内蔵変調器付レーザを開発

40Gbps変調器付レーザに自社開発のドライバIC内蔵

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OKIセミコンダクタは、このたび40Gbps光通信用のXLMD-MSA(*1)規格に準拠したドライバIC内蔵EML(*2)の新商品「OL5191M」を開発し、本年5月よりサンプル出荷を開始いたします。量産出荷開始は2009年8月を予定しています。

40Gbps光通信用トランシーバは小型化が進んでおり、実装面積の縮小により構成部品には小型化が強く要求されています。 今回発売する「OL5191M」はこれまでご好評を得ている40GbosのEMLに自社開発の高速特性に優れたInP HEMT(*3)のドライバICを同一パッケージ内に実装しました。これまでのドライバ外付けタイプに比べて、実装面積が約60%削減でき、40Gbps光通信用トランシーバの小型化が可能となります。

OKIセミコンダクタは、高速・低消費電力といったデバイスの優位性を活かし、成長が見込まれる40Gbps光通信市場において、高性能で高品質な光コンポーネントを提供してまいります。

本年3月22日(日)~26日(木)、米国カリフォルニア州サンデェゴ市にて開催されるthe Optical Fiber Communication Conference & Exposition and the National Fiber Optic Engineers Conference (OFC/NFOEC2009)(http://www.ofcnfoec.org/)で、併設展示会場のOKIセミコンダクタブース(# 2431)において40Gbps光通信用ドライバIC内蔵EMLに関する展示と説明を行います。

販売計画

サンプル価格:
600,000円(税別)
サンプル出荷時期:
2009年5月
量産出荷開始予定:
2009年8月
販売目標:
2010年度市場シェア30%以上

主な特徴

  1. XLMD-MSA準拠
  2. 高速動作:43Gbps動作
  3. 高消光比:10dB

用語解説

(*1)XLMD - MSA:
40Gbps光通信送信/受信モジュールのマルチソース・アグリーメント
(*2)EML(Electro-Absorption Modulated Laser):
電界吸収型光変調器と光源となるレーザーダイオードを集積化した光半導体素子
(*3)InP HEMT:
半導体基板にInP化合物を用い2次元電子ガス層をチャネルに用いた化合物半導体デバイスで高速・高耐圧特性に優れる

※本文に記載されている会社名、商品名は一般に各社の商標または登録商標です。

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