沿革

●：施設　■：技術・商品関連

1961

● 1号館完成
■ トランジスタ生産開始

1962

● 2・3号館完成
■ ミリ波管・電子計算器生産開始

1965

■ リードリレー生産開始、IC開発着手

1966

■ リードスイッチ生産開始

1967

■ IC生産開始

1968

■ CMOS開発着手

1969

● 4号館完成
■ プリント基板生産開始

1975

● （秩父工場操業開始）
■ 4Kb DRAM生産開始

1977

● V1棟完成
■ マイクロプロセッサ生産開始

1979

■ マイクロコンピュータ生産開始

1980

● 管理・技術棟完成（5号館）

1981

● （宮崎沖電気操業開始）
■ ゲートアレイ、64Kb DRAM（3μm）生産開始

1982

■ 米NS社へ技術供与

1983

● V2棟完成
● （宮崎沖電気M2棟完成）

1984

● （沖マイクロデザイン宮崎設立）
■ 256Kb DRAM（2μm）生産開始

1985

● V3棟完成

1987

■ 1Mb DRAM（1.2μm）生産開始

1988

● （宮城沖電気操業開始）

1989

■ 4Mb DRAM（0.8μm）生産開始

1990

● （オレゴン工場操業開始）
● （沖LSIテクノロジ関西設立）

1991

● （宮崎沖電気M3棟完成）

1992

● （タイ工場操業開始）
● U1棟完成
■ 16Mb DRAM（0.5μm）生産開始

1994

■ 256Mb DRAM（0.25μm）開発成功

1995

● （宮城沖電気S2棟完成）
■ SSDカード生産開始

1996

● 新食堂棟完成（6号館）

1997

● 新管理・技術棟完成（7号館）
■ 64Mb DRAM（0.3μm）生産開始
■ 1Gb DRAM（0.18μm）開発成功

1998

■ SPAベース事業展開開始
■ 表面実装光モジュール商品化
■ USBコントロールLSI商品化

2000

■ ブルートゥースシステムLSI商品化
■ μPLAT開発

2002

■ 完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始

2003

■ 世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功

2004

● OHK深セン／OSSH北京／OSTS設立

2005

● 半導体事業グループ創設

2007

● シリコンマイクロデバイスカンパニー創設

2008

● OKIセミコンダクタ株式会社設立

2011

● ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更