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沿革


沿革(ラピスセミコンダクタの前身である、OKIセミコンダクタ、沖デバイス事業も含む)

  • 1960年
     ~ 1980年
  • 1980年
     ~ 2000年
  • 2000年
     ~ 現在
年 代 ジャンル 記 事
1961 施設
1号館完成
 

商品関連
トランジスタ生産開始
 

1962 施設
2・3号館完成、八王子事業所半導体技術化発足

1962年 八王子工場全景


商品関連
ミリ波管・電子計算器生産開始

各種電子管


1965 商品関連
リードリレー生産開始、IC開発着手

当時のリードリレー


1966 商品関連
リードスイッチ生産開始
 

1967 商品関連
IC生産開始

1967年当時の生産ライン


1968 商品関連
CMOS開発着手
 

1969 施設
4号館完成
 

商品関連
プリント基板生産開始
 

1975 施設
秩父工場操業開始

秩父工場


商品関連
4Kb DRAM生産開始
 

1977 施設
V1棟完成
 

商品関連
マイクロプロセッサ生産開始
 

1979 商品関連
マイクロコンピュータ生産開始
 

年 代 ジャンル 記 事
1980 施設
管理・技術棟完成(5号館)
 

1981 施設
宮崎沖電気操業開始

宮崎OKI電気M1棟


商品関連
ゲートアレイ、64Kb DRAM(3µm)生産開始
 

1982 技術
米NS社へ技術供与
 

1983 施設
V2棟完成
 

施設
宮崎沖電気M2棟完成

宮崎OKI電気M2棟


1984 施設
沖マイクロデザイン宮崎設立
 

商品関連
256Kb DRAM(2µm)生産開始
 

1985 施設
V3棟完成
 

1987 商品関連
1Mb DRAM(1.2µm)生産開始
 

1988 施設
宮城沖電気操業開始

宮城OKI電気全景


1989 施設
4Mb DRAM(0.8µm)生産開始
 

1990 施設
オレゴン工場操業開始

オレゴン工場


施設
沖LSIテクノロジ関西設立
 

1991 施設
宮崎沖電気M3棟完成
 

1992 施設
タイ工場操業開始

オキタイランド社


施設
U1棟完成
 

商品関連
16Mb DRAM(0.5µm)生産開始

16M DRAM パターン図


1994 商品関連
256Mb DRAM(0.25µm)開発成功
 

1995 施設
宮城沖電気S2棟完成
 

商品関連
SSDカード生産開始
 

1996 施設
新食堂棟完成(6号館)
 

1997 施設
新管理・技術棟完成(7号館)
 

商品関連
64Mb DRAM(0.3µm)生産開始
 

商品関連
1Gb DRAM(0.18µm)開発成功
 

1998 商品関連
SPAベース事業展開開始
 

商品関連
表面実装光モジュール商品化
 

商品関連
USBコントロールLSI商品化
 

年 代 ジャンル 記 事
2000 商品関連
ブルートゥースシステムLSI商品化
 

商品関連
µPLAT開発
 

2002 商品関連
完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始
 

2003 商品関連
世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功
 

2004 施設
OHK深セン / OSSH北京 / OSTS設立
 

2005 施設
半導体事業グループ創設
 

2007 施設
シリコンマイクロデバイスカンパニー創設
 

2008 施設
OKIセミコンダクタ株式会社設立
 

2011 施設
ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更

2013 施設
新横浜に本社を移転

※「沖半導体史(40年の足跡)」、「宮崎沖電気10年の記録」より一部抜粋

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